Les composés semi-conducteurs III-V, telle que le GaAs, AlAs, InP, GaN, etc.
forment le noyau des sources lumineuse à semi-conducteurs et des dispositifs électroniques
et optoélectroniques de puissance en raison de leur propriétés remarquables. En effet, ils
présentent généralement une haute mobilité électronique et une bande interdite directe, leur
conductivité thermique élevée, un taux de saturation électronique élevé, un champ de
claquage élevé, une forte capacité à résister au rayonnement et d’autres performances
incomparables.
- Enseignant: Aouchtati ouchtati amina